互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 10A 125W Through Hole TO-218
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 10A TO218
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 10A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-218
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
封装 TO-218-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TIP141 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP141G 安森美 | 功能相似 | TIP141和TIP141G的区别 |