VISHAY TSML1000 红外发射器, 高功率, 12 °, 20 mA, 1.2 V, 800 ns, 800 ns
The is a 940nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well MQW technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package with lens for surface mounting SMD.
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- High speed
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- ϕ = ±12° Angle of half intensity
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- Low forward voltage
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- Suitable for high pulse current operation
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- Good spectral matching with Si photodetectors
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- Versatile terminal configurations
额定电压DC 1.20 V
工作电压 1.3V ~ 1.5V
额定功率 190 mW
上升/下降时间 0.8 µs
针脚数 2
正向电压 1.2 V
波长 940 nm
视角 12°
峰值波长 950 nm
耗散功率 190 mW
上升时间 800 ns
测试电流 20 mA
正向电流 20 mA
正向电压Max 1.2 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 800 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 190 mW
电源电压 1.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
长度 2.5 mm
宽度 2 mm
高度 2.7 mm
封装 SMD-2
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TSML1000 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
VSMB2000X01 威世 | 类似代替 | TSML1000和VSMB2000X01的区别 |