VISHAY TSHF5410.. 红外发射器, 高速, 22 °, T-1 3/4 5mm, 100 mA, 1.4 V, 30 ns, 30 ns
The is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero DH technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements.
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- High speed
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- High reliability
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- ϕ = ±22° Angle of half intensity
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- Low forward voltage
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- Suitable for high pulse current operation
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- Good spectral matching with Si photodetectors
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- 12MHz High modulation bandwidth fc
额定功率 180 mW
上升/下降时间 0.03 µs
针脚数 2
正向电压 1.4 V
波长 890 nm
视角 22°
峰值波长 890 nm
耗散功率 160 mW
上升时间 30 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 30 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 160 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99