高功率红外发光二极管,符合RoHS , 940纳米,砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
红外(IR) 发射器 940nm 1.2V 100mA 3mW/sr @ 100mA 24° 轴向
得捷:
EMITTER IR 940NM 100MA AXIAL
艾睿:
LED IrLED 950nm 2-Pin T/R
Chip1Stop:
LED IrLED 950nm 2-Pin T/R
儒卓力:
**IR-EMITTER HP 950NM SMD AXIAL L **
AMEYA360:
IR EMI HI POWR 950NM AXIAL
上升/下降时间 0.015 µs
正向电压 1.2 V
波长 940 nm
视角 24°
峰值波长 950 nm
耗散功率 190 mW
测试电流 20 mA
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 190 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Axial
高度 2.7 mm
封装 Axial
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free