TSHG6200概述
850 nm 视角 20° 120 mW/sr 通孔 5 mm 红外 LED - T-1 3/4
The is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero DH technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation and good spectral matching with CMOS cameras.
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- High reliability
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- Low forward voltage
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- ±10° Angle of half intensity
TSHG6200中文资料参数规格
技术参数
额定功率 180 mW
上升/下降时间 0.0165 µs
针脚数 2
正向电压 1.5 V
波长 850 nm
视角 10°
峰值波长 850 nm
耗散功率 180 mW
上升时间 20 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.5 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 13 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 180 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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