VISHAY TSFF5210.. 红外发射器, 高速, 10 °, T-1 3/4 5mm, 100 mA, 1.5 V, 15 ns, 15 ns
The is a 870nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero DH technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package.
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- High speed
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- High reliability
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- ϕ = ±10° Angle of half intensity
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- Low forward voltage
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- Suitable for high pulse current operation
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- Good spectral matching with Si photodetectors
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- 12MHz High modulation bandwidth fc
上升/下降时间 0.015 µs
针脚数 2
正向电压 1.5 V
波长 870 nm
视角 10°
峰值波长 870 nm
耗散功率 180 mW
上升时间 15 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.5 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 15 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 180 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Safety, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TSFF5210 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
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