



GaAlAs的红外发光二极管在密封TO18案例 GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case
Infrared IR Emitter 875nm 1.4V 100mA 3.5mW/sr @ 100mA 60° TO-18-2 Metal Can
得捷:
EMITTER IR 875NM 100MA TO18
贸泽:
红外发射源 30 Degree 180mW
艾睿:
LED IrLED 875nm 2-Pin TO-18 Bulk
Verical:
LED IrLED 875nm 2-Pin TO-18 Bulk
AMEYA360:
EMITTER IR 870NM GAALAS TO-18
电源电压DC 1.80 V
额定电压DC 1.40 V
工作电压 1.80 V
上升/下降时间 0.3 µs
正向电压 1.4 V
波长 875 nm
视角 60°
峰值波长 875 nm
耗散功率 500 mW
上升时间 300 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
下降时间 300 ns
工作温度Max 100 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-18-2
长度 5.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-18-2
工作温度 100℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99