高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双异质 High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
Infrared IR Emitter 875nm 1.5V 100mA 16mW/sr @ 100mA 48° Radial
得捷:
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
贸泽:
Infrared Emitters 5V 22mW 875nm 24 Deg
艾睿:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
安富利:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
Newark:
# VISHAY TSHA5500 Infrared Emitter, 24 °, T-1 3/4 5mm, 100 mA, 1.5 V, 600 ns, 600 ns
AMEYA360:
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
额定电压DC 3.20 V
额定功率 210 mW
正向电压 1.5 V
波长 875 nm
视角 24°
峰值波长 875 nm
耗散功率 180 mW
上升时间 600 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.5 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 600 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 180 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free