TSHA6200概述
GaAlAs的红外发光二极管在®5毫米（T - 13/4 ）包装 GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ?5 mm T-13/4 Package
Infrared IR Emitter 875nm 2.8V 100mA 25mW/sr @ 100mA 24° Radial
得捷:
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
贸泽:
红外发射源 5V 22mW 875nm 12 Deg
艾睿:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
TSHA6200中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 3.20 V
额定功率 210 mW
正向电压 2.8 V
波长 875 nm
视角 12°
峰值波长 875 nm
耗散功率 180 mW
上升时间 600 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TSHA6200
型号： TSHA6200
描述：GaAlAs的红外发光二极管在®5毫米（T - 13/4 ）包装 GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ?5 mm T-13/4 Package