



红外发光二极管,符合RoHS , 875纳米, GaAlAs的 Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs
红外(IR) 发射器 875nm 1.5V 100mA 16mW/sr @ 100mA 48° 径向
得捷:
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
贸泽:
红外发射源 875nm,T-1.75 30mW/sr,+/-24deg.
艾睿:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
安富利:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
儒卓力:
**IR-EMITTER HIGH SPEED 870NM 5MM **
额定电压DC 3.20 V
上升/下降时间 0.6 µs
正向电压 1.5 V
波长 875 nm
视角 48°
峰值波长 875 nm
耗散功率 180 mW
上升时间 600 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 180 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 8.7 mm
封装 T-1
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99