TSHA6201参数规格_中文资料_数据手册PDF

TSHA6201概述

红外发光二极管， 875纳米， GaAlAs的 Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs

Infrared IR Emitter 875nm 2.8V 100mA 30mW/sr @ 100mA 24° Radial

得捷:
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

艾睿:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk

安富利:
LED IrLED 875nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk

TSHA6201中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 3.20 V

正向电压 2.8 V

波长 875 nm

视角 24°

峰值波长 875 nm

耗散功率 180 mW

上升时间 600 ns

测试电流 100 mA

正向电流 100 mA

正向电流Max 100 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 180 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 8.7 mm

封装 T-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TSHA6201

型号： TSHA6201

描述：红外发光二极管， 875纳米， GaAlAs的 Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs