TPS28225D

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TPS28225D概述

TEXAS INSTRUMENTS  TPS28225D  驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


立创商城:
TPS28225D


德州仪器TI:
4-A, 27-V half bridge gate driver with 4-V UVLO for synchronous rectification


欧时:
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


艾睿:
Driver 6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 4A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 4A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TPS28225D  MOSFET Driver IC, High Side And Low Side, 4.5V-8V Supply, 4A Out, 14ns Delay, SOIC-8


TPS28225D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 8.00V max

上升/下降时间 10 ns

输出接口数 2

输出电压 33.3 V

输出电流 6.00 A

针脚数 8

耗散功率 1.25 W

上升时间 10 ns

输出电流Max 4 A

下降时间 10 ns

下降时间Max 10 ns

上升时间Max 10 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 4.5V ~ 8.8V

电源电压Max 8 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 便携式器材, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TPS28225D引脚图与封装图
TPS28225D引脚图
TPS28225D封装图
TPS28225D封装焊盘图
在线购买TPS28225D
型号: TPS28225D
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TPS28225D  驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SOIC-8
替代型号TPS28225D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS28225D

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