TEXAS INSTRUMENTS TPS2816DBVT 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 反相, 有源上拉, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOT-23-5
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
立创商城:
TPS2816DBVT
德州仪器TI:
2-A/2-A single-channel gate driver with 40-V VDD and active pullup inverting input
欧时:
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贸泽:
Gate Drivers Inv H-S MOSFET Driver
e络盟:
驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 反相, 有源上拉, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOT-23-5
艾睿:
Turn on and off high power transistors by implementing this TPS2816DBVT power driver manufactured by Texas Instruments. This device has a maximum propagation delay time of 50 ns and a maximum power dissipation of 437 mW. Its maximum power dissipation is 437 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 14 V.
安富利:
MOSFET DRVR 2A 1-OUT High Speed Inv 5-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Driver 2A 1-OUT High Speed Inv 5-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Driver 2A 1-OUT High Speed Inv 5-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS TPS2816DBVT DRIVER, MOSFET, SINGLE, SOT-23-5
力源芯城:
低成本,带输入上拉电路的单通道高速MOSFET
Win Source:
IC INVERTING FET DRVR SOT23-5
电源电压DC 4.00V min
上升/下降时间 14 ns
输出接口数 1
输出电流 2 A
针脚数 5
耗散功率 437 mW
上升时间 14 ns
下降时间 14 ns
下降时间Max 35 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 437 mW
电源电压 4V ~ 40V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-23-5
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.15 mm
封装 SOT-23-5
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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