TPS51100DGQ

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TPS51100DGQ概述

TEXAS INSTRUMENTS  TPS51100DGQ  稳压器, 固定LDO, 5.25V至4.75V输入, 1.25V/3A输出, MSOP-10

DDR 存储器终端调节器,Texas Instruments

专门设计用于 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接。这些汇电流/源电流跟踪终端调节器旨在用于节省空间的低成本应用,具有低外部部件计数。

### DDR 存储器电源解决方案,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments TPS51100DGQ LDO 稳压器, 可调输出, -0.1 → 3.6 V输出, 3A最大输出


得捷:
IC REG CONV DDR 1OUT 10MSOP


立创商城:
TPS51100DGQ


德州仪器TI:
3A Source/Sink DDR terminator Regulator


艾睿:
DDR Termination Regulator 4.75V to 5.25V 10-Pin HVSSOP EP Tube


安富利:
DDR/DDR2/DDR3 Termination Regulator 3A 4.75V to 5.25V 10-Pin MSOP PowerPAD Tube


Chip1Stop:
Single Channel LDO 3A Source/Sink DDR terminator Regulator LDO Regulator Neg/Pos -0.1V to 3.6V 3A 10-Pin HVSSOP EP Tube


TME:
Voltage regulator; LDO, adjustable; -0.1÷3.6V; 3A; HVSSOP10; SMD


Verical:
DDR Termination Regulator 4.75V to 5.25V 10-Pin HVSSOP EP Tube


力源芯城:
3A 输出驱动/吸入电流 DDR 终端稳压器


Win Source:
IC REG 3A SINK/SOURCE DDR 10MSOP


DeviceMart:
IC REG 3A SINK/SOURCE DDR 10MSOP


TPS51100DGQ中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.73 W

输出接口数 1

输入电压DC 5.25V max

输出电压 1.25 V

输出电流 3 A

针脚数 10

输入电流 500 µA

耗散功率 1.73 W

静态电流 500 µA

输出电容类型 Ceramic

调节输出数 1

输入电压Max 4.75 V

输入电压Min 5.25 V

输出电流Max 3 A

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1730 mW

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

输入电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerPad-MSOP-10

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerPad-MSOP-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

TPS51100DGQ引脚图与封装图
TPS51100DGQ引脚图
TPS51100DGQ封装图
TPS51100DGQ封装焊盘图
在线购买TPS51100DGQ
型号: TPS51100DGQ
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TPS51100DGQ  稳压器, 固定LDO, 5.25V至4.75V输入, 1.25V/3A输出, MSOP-10
替代型号TPS51100DGQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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