TPS2811DR

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TPS2811DR概述

MOSFET驱动器

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:2A 拉:2A


德州仪器TI:
2-A/2-A dual-channel gate driver with 2 inverting drivers and internal regulator


贸泽:
Gate Drivers Inv Dual H-S MOSFET Driver


艾睿:
Transistors are never going away, implement this TPS2811DR power driver by Texas Instruments in order to help turn on and off the transistor. This device has a maximum propagation delay time of 50 ns and a maximum power dissipation of 730 mW. Its maximum power dissipation is 730 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 14 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
双路高速反相MOSFET驱动器


Win Source:
IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC


TPS2811DR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 14ns, 15ns

输出接口数 2

输出电流 2 A

耗散功率 730 mW

上升时间 14 ns

下降时间 15 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

电源电压 4V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TPS2811DR引脚图与封装图
TPS2811DR引脚图
TPS2811DR封装图
TPS2811DR封装焊盘图
在线购买TPS2811DR
型号: TPS2811DR
制造商: TI 德州仪器
描述:MOSFET驱动器
替代型号TPS2811DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS2811DR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TPS2811DRG4

德州仪器

完全替代

TPS2811DR和TPS2811DRG4的区别

TPS2811D

德州仪器

类似代替

TPS2811DR和TPS2811D的区别

TPS2811DG4

德州仪器

类似代替

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