TPS2817DBVT

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TPS2817DBVT概述

TEXAS INSTRUMENTS  TPS2817DBVT  驱动器, MOSFET, 非反相, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOT-23-5

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


立创商城:
低边 MOSFET 灌:2A 拉:2A


德州仪器TI:
2-A/2-A single-channel gate driver with 40-V VDD and active pullup input


欧时:
Texas Instruments TPS2817DBVT MOSFET 功率驱动器, 2A, 4 → 14 V电源, 5引脚 SOT-23封装


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5


贸泽:
Gate Drivers Non-inv H-S MOSFET Driver


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  TPS2817DBVT  驱动器, MOSFET, 非反相, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOT-23-5


艾睿:
Driver 2A 1-OUT High Speed Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R


安富利:
MOSFET DRVR 2A 1-OUT High Speed Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Driver 2A 1-OUT High Speed Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R


TME:
Driver; MOSFET gate driver; 2A; 15.5V; 437mW; Channels:1; SOT23-5


Verical:
Driver 2A 1-OUT High Speed Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R


力源芯城:
单通道高速MOSFET驱动器带输入上拉电路,低成本


TPS2817DBVT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

额定功率 437 mW

上升/下降时间 14 ns

输出接口数 1

输出电压 15.5 V

输出电流 2 A

通道数 1

针脚数 5

耗散功率 437 mW

上升时间 14 ns

输出电压Max 13 V

下降时间 14 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 437 mW

电源电压 4V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-23-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.15 mm

封装 SOT-23-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TPS2817DBVT引脚图与封装图
TPS2817DBVT引脚图
TPS2817DBVT封装图
TPS2817DBVT封装焊盘图
在线购买TPS2817DBVT
型号: TPS2817DBVT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TPS2817DBVT  驱动器, MOSFET, 非反相, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOT-23-5
替代型号TPS2817DBVT
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