TD352ID

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TD352ID概述

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得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO


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高边 IGBT MOSFET 灌:1.3A 拉:1.7A


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艾睿:
Driver 5V 1.7A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv Automotive 8-Pin SO N Tube


安富利:
MOSFET DRVR 5V 1.7A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 8-Pin SO N Tube


富昌:
TD352 系列 750 mA 26 V 表面贴装 高级 IGBT/MOSFET 驱动器 - SOIC-8


Chip1Stop:
Driver 5V 1.7A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv Automotive 8-Pin SO N Tube


Verical:
Driver 5V 1.7A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv Automotive 8-Pin SO N Tube


Win Source:
IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC


TD352ID中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 100ns Max

输出接口数 1

耗散功率 0.5 W

上升时间 100 ns

下降时间 100 ns

下降时间Max 100 ns

上升时间Max 100 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500 mW

电源电压 12V ~ 26V

电源电压Min 12 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TD352ID引脚图与封装图
TD352ID引脚图
TD352ID封装图
TD352ID封装焊盘图
在线购买TD352ID
型号: TD352ID
描述:MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics ### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
替代型号TD352ID
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TD352ID

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

TD352IDT

意法半导体

类似代替

TD352ID和TD352IDT的区别

TD352IN

意法半导体

功能相似

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