TPS2012DR

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TPS2012DR概述

配电 POWER-DISTRIBUTION

电源开关/驱动器 1:1 N 通道 1A 8-SOIC


得捷:
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8SOIC


贸泽:
电源开关 IC - 配电 2.0A 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2.7V to 5.5V 1A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2.7V to 5.5V 1A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2.7V to 5.5V 1A 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TPS2012DR  IC, HIGH SIDE MOSFET PWR SW, 5.5V 8-SOIC, FULL REEL


Win Source:
IC 2.0A POWER DIST SWITCH 8-SOIC


TPS2012DR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输入电压DC 5.50 V

输出电流 1 A

耗散功率 700 mW

静态电流 73.0 µA

输入电压Max 5.5 V

输入电压Min 2.7 V

输出电流Max 1 A

输入数 1

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 700 mW

输入电压 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TPS2012DR引脚图与封装图
TPS2012DR引脚图
TPS2012DR封装图
TPS2012DR封装焊盘图
在线购买TPS2012DR
型号: TPS2012DR
制造商: TI 德州仪器
描述:配电 POWER-DISTRIBUTION
替代型号TPS2012DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS2012DR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TPS2012DG4

德州仪器

完全替代

TPS2012DR和TPS2012DG4的区别

TPS2012DRG4

德州仪器

完全替代

TPS2012DR和TPS2012DRG4的区别

TPS2012AD

德州仪器

类似代替

TPS2012DR和TPS2012AD的区别

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