TV30C110JB-G

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TV30C110JB-G概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB SMC

18.2V Clamp 164.84A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMC


立创商城:
Vrwm:11V 3kW


得捷:
TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB SMC


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 11V 3KW 2-Pin SMC T/R


TV30C110JB-G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 11 V

击穿电压 12.2 V

耗散功率 6 W

钳位电压 18.2 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 12.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB-2

外形尺寸

高度 2.39 mm

封装 DO-214AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TV30C110JB-G
型号: TV30C110JB-G
制造商: Comchip Technology 上华科技
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB SMC
替代型号TV30C110JB-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TV30C110JB-G

Comchip Technology 上华科技

当前型号

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上华科技

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