TV30C580JB-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TV30C580JB-G概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB SMC

93.6V 夹子 32.05A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AB（SMC）

得捷:
TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB SMC

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 58V 3KW 2-Pin SMC T/R

TV30C580JB-G中文资料参数规格

技术参数

工作电压 58 V

击穿电压 64.4 V

耗散功率 6 W

钳位电压 93.6 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 64.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB-2

外形尺寸

封装 DO-214AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TV30C580JB-G

型号： TV30C580JB-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB SMC

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