TV30C850JB-G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TV30C850JB-G概述

Diode TVS Single Bi-Dir 85V 3kW 2Pin SMC T/R

137V 夹子 21.9A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AB（SMC）

立创商城:
Vrwm:85V 3kW

得捷:
TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 85V 3KW 2-Pin SMC T/R

TV30C850JB-G中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 137 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 94.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TV30C850JB-G

型号： TV30C850JB-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Diode TVS Single Bi-Dir 85V 3kW 2Pin SMC T/R

替代型号TV30C850JB-G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

TV30C850JB-G

Comchip Technology 上华科技

当前型号

当前型号

ATV30C850JB-HF

上华科技

功能相似

TV30C850JB-G和ATV30C850JB-HF的区别