TV30C190JB-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TV30C190JB-G概述

Diode TVS Single Bi-Dir 19V 3kW 2Pin SMC T/R

30.8V Clamp 97.47A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMC

得捷:
TVS DIODE 19VWM 30.8VC DO214AB

立创商城:
Vrwm:19V 3kW

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 19V 3KW 2-Pin SMC T/R

TV30C190JB-G中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 30.8 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 21.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB

外形尺寸

高度 2.39 mm

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TV30C190JB-G

型号： TV30C190JB-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Diode TVS Single Bi-Dir 19V 3kW 2Pin SMC T/R

立即咨询

替代型号TV30C190JB-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
TV30C190JB-G Comchip Technology 上华科技	当前型号	当前型号
ATV30C190JB-HF 上华科技	功能相似	TV30C190JB-G和ATV30C190JB-HF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

TV30C190JB-G

Comchip Technology 上华科技

当前型号

ATV30C190JB-HF

上华科技

功能相似

TV30C190JB-G和ATV30C190JB-HF的区别