TPS2833D

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TPS2833D概述

TEXAS INSTRUMENTS  TPS2833D  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8

半桥 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


立创商城:
半桥 MOSFET 灌:2.7A 拉:2.4A


德州仪器TI:
2.4-A, 28-V half bridge gate driver with enable for inverting fast synchronous buck in SOIC-8


e络盟:
# TEXAS INSTRUMENTS  TPS2833D  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Transistors are a crucial component but for high powered designs this TPS2833D power driver by Texas Instruments is a crucial component. This device has a maximum propagation delay time of 130 ns and a maximum power dissipation of 600 mW. Its maximum power dissipation is 600 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 15 V.


安富利:
MOSFET DRVR 3.5A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 3.5A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 3.5A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


力源芯城:
带使能的反相MOSFET驱动器


TPS2833D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 15.0V max

上升/下降时间 50 ns

输出接口数 2

输出电压 11.5 V

输出电流 2.40 A

针脚数 8

耗散功率 0.6 W

上升时间 60 ns

下降时间 60 ns

下降时间Max 60 ns

上升时间Max 60 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 600 mW

电源电压 4.5V ~ 15V

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TPS2833D引脚图与封装图
TPS2833D引脚图
TPS2833D封装图
TPS2833D封装焊盘图
在线购买TPS2833D
型号: TPS2833D
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TPS2833D  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8
替代型号TPS2833D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS2833D

TI 德州仪器

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TPS2833DG4

德州仪器

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