TC58NYG1S3HBAI6参数规格_中文资料_数据手册PDF

TC58NYG1S3HBAI6概述

NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 67Pin VFBGA

**Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.**

贸泽:
EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

艾睿:
NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA

Verical:
NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA

TC58NYG1S3HBAI6中文资料参数规格

技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

存取时间 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 67

封装 VFBGA-67

外形尺寸

高度 0.7 mm

封装 VFBGA-67

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TC58NYG1S3HBAI6

型号： TC58NYG1S3HBAI6

制造商： Toshiba 东芝

描述：NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 67Pin VFBGA