TC58NVG2S3EBAI5

TC58NVG2S3EBAI5图片1
TC58NVG2S3EBAI5图片2
TC58NVG2S3EBAI5概述

Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


欧时:
Toshiba TC58NVG2S3EBAI5 闪存, 4Gbit 512M x 8, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装


贸泽:
NAND闪存 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND EEPROM


艾睿:
SLC NAND Flash 3.3V 4G-bit 63-Pin TFBGA


Chip1Stop:
SLC NAND Flash 3.3V 4Gbit 63-Pin TFBGA


TC58NVG2S3EBAI5中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 TFBGA-63

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 10 mm

高度 0.74 mm

封装 TFBGA-63

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TC58NVG2S3EBAI5
型号: TC58NVG2S3EBAI5
制造商: Toshiba 东芝
描述:Toshiba ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
替代型号TC58NVG2S3EBAI5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TC58NVG2S3EBAI5

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

TC58NYG2S3EBAI5

东芝

功能相似

TC58NVG2S3EBAI5和TC58NYG2S3EBAI5的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台