TRF37B73IDSGT

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TRF37B73IDSGT概述

TEXAS INSTRUMENTS  TRF37B73IDSGT  芯片, 射频放大器, 11.5DB, 6GHZ, WSON-8

射频放大器 IC - 1MHz ~ 6GHz 8-WSON(2x2)


得捷:
IC RF AMP 1MHZ-6GHZ 8WSON


立创商城:
TRF37B73IDSGT


德州仪器TI:
1 to 6000 MHz 15dB RF Gain Block Amplifier with Powerdown Pin


e络盟:
射频放大器芯片, 11.5 dB增益 / 4 dB噪音, 1 MHz至6 GHz, 3 V至3.45 V电源, WSON-8


艾睿:
Noise and distortion a problem? Implement this general purpose amplifier TRF37B73IDSGT buffer amplifier from Texas Instruments, and never worry again! Its maximum power dissipation is 172Typ mW. This RF amplifier chip has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a single channel per chip. This device uses a single power supply.


安富利:
RF Amp Chip Single GP 6000MHz 3.45V 8-Pin WSON EP T/R


Verical:
RF Amp Single Gain Amp 6GHz 3.45V 8-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TRF37B73IDSGT  RF Amplifier IC, 11.5 dB Gain / 4 dB Noise, 1 MHz to 6 GHz, 3 V to 3.45 V, WSON-8


TRF37B73IDSGT中文资料参数规格
技术参数

频率 1MHz ~ 6GHz

电源电压DC 3.00V min

供电电流 52 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 172 mW

增益 11.5 dB

测试频率 2 GHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 172 mW

电源电压 3.3 V

电源电压Max 3.45 V

电源电压Min 3 V

封装参数

引脚数 8

封装 WSON-8

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 WSON-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TRF37B73IDSGT引脚图与封装图
TRF37B73IDSGT引脚图
TRF37B73IDSGT封装图
TRF37B73IDSGT封装焊盘图
在线购买TRF37B73IDSGT
型号: TRF37B73IDSGT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TRF37B73IDSGT  芯片, 射频放大器, 11.5DB, 6GHZ, WSON-8
替代型号TRF37B73IDSGT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TRF37B73IDSGT和TRF37B73IDSGR的区别

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