TC58NVG2S3ETAI0

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TC58NVG2S3ETAI0概述

Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


欧时:
### 闪存存储器,Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


贸泽:
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM


艾睿:
SLC NAND Flash Serial 3.3V 4G-bit 512M x 8 48-Pin TSOP-I


Chip1Stop:
SLC NAND Flash Serial 3.3V 4G-bit 512M x 8 48-Pin TSOP-I


Verical:
NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 48-Pin TSOP-I


Win Source:
NAND Flash MemorySLC Middle Capacity


TC58NVG2S3ETAI0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

长度 18.4 mm

宽度 12.4 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买TC58NVG2S3ETAI0
型号: TC58NVG2S3ETAI0
制造商: Toshiba 东芝
描述:Toshiba ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

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