TRS12E65C,S1Q

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TRS12E65C,S1Q概述

Diode Schottky 650V 12A 2Pin TO-220

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A DC Through Hole TO-220-2L


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L


AMEYA360:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L


TRS12E65C,S1Q中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @12A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 60 A

正向电压Max 1.7V @12A

工作结温 175℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TRS12E65C,S1Q
型号: TRS12E65C,S1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Diode Schottky 650V 12A 2Pin TO-220

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