TC429EMF713参数规格_中文资料_数据手册PDF

TC429EMF713概述

MOSFET DRVR 6A 1Out Lo Side Inv 8Pin DFN-S EP T/R

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-DFN-EP 3x3

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

贸泽:
Gate Drivers 6A Sngl

TC429EMF713中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 23ns, 25ns

输出接口数 1

供电电流 8.00 mA

上升时间 35 ns

下降时间 35 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 7V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TC429EMF713

型号： TC429EMF713

描述：MOSFET DRVR 6A 1Out Lo Side Inv 8Pin DFN-S EP T/R