TRD236DT4

TRD236DT4图片1
TRD236DT4图片2
TRD236DT4图片3
TRD236DT4概述

TO-252 NPN 400V 4A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 4A 35W Surface Mount DPAK


得捷:
TRANS NPN 400V 4A DPAK


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TRD236DT4中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 8 @2.5A, 5V

额定功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TRD236DT4
型号: TRD236DT4
描述:TO-252 NPN 400V 4A
替代型号TRD236DT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TRD236DT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

FJD3305H1TM

飞兆/仙童

功能相似

TRD236DT4和FJD3305H1TM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台