其他芯片高？功率晶体管 Complementary Silicon High?Power Transistors
Bipolar BJT Transistor NPN 100V 25A 3MHz 125W Through Hole SOT-93
得捷:
TRANS NPN 100V 25A SOT93
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 100V 125W NPN
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 25A Automotive 3-Pin3+Tab SOT-93 Tube
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
极性 NPN
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 4V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
封装 TO-218-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TIP35C ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP35CG 安森美 | 完全替代 | TIP35C和TIP35CG的区别 |
BD249C-S 伯恩斯 | 功能相似 | TIP35C和BD249C-S的区别 |
BD249CG 安森美 | 功能相似 | TIP35C和BD249CG的区别 |