塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
•High DC Current Gain −hFE = 2500 Typ @ IC= 4.0 Adc
•Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEOsus= 60 Vdc Min − TIP100, TIP105
= 80 Vdc Min − , TIP106
= 100 Vdc Min − TIP102, TIP107
•Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCEsat= 2.0 Vdc Max @ IC
= 3.0 Adc
= 2.5 Vdc Max @ IC= 8.0 Adc
•Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors
•Pb−Free Packages are Available
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 20000
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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TIP101 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP101G 安森美 | 类似代替 | TIP101和TIP101G的区别 |
2N5885G 安森美 | 功能相似 | TIP101和2N5885G的区别 |
2N5886G 安森美 | 功能相似 | TIP101和2N5886G的区别 |