TCED1100G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TCED1100G概述

光电耦合器，光电晶体管输出，高增益 Optocoupler, Phototransistor Output, High Gain

Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP

得捷:
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP

贸泽:
晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR >600%

Chip1Stop:
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington DC-OUT 4-Pin DIL

TCED1100G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.15 V

上升/下降时间 300µs, 250µs

通道数 1

正向电压 1.15 V

耗散功率 250 mW

隔离电压 5000 Vrms

正向电流 60 mA

输出电压Max 35 V

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 6.3 mm

高度 3.6 mm

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 100℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TCED1100G

型号： TCED1100G

描述：光电耦合器，光电晶体管输出，高增益 Optocoupler, Phototransistor Output, High Gain