VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
The is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors and memories drivers.
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- Low ON-resistance
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- High-side switching
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- Low threshold
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- 20ns Fast switching speed
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- 20pF low input capacitance
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- 2000V ESD protection
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -185 mA
输入电容Ciss 23pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TP0610K-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
TP0610K-T1-GE3 威世 | 类似代替 | TP0610K-T1-E3和TP0610K-T1-GE3的区别 |