VISHAY TN2404K-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道
The is a 240VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors and memories drivers.
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- Low ON-resistance
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- 260V Secondary breakdown free
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- Low power/voltage driven
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- Low input and output leakage
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- Excellent thermal stability
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- Low offset voltage
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- Full-voltage operation
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- Easily driven without buffer
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- Low error voltage
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- No high-temperature "Run-away"
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- Halogen-free
针脚数 3
漏源极电阻 2.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.65 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 12 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.51 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TN2404K-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
TN2404K-T1-E3 威世 | 类似代替 | TN2404K-T1-GE3和TN2404K-T1-E3的区别 |