TPC8042TE12L,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TPC8042TE12L,Q,M概述

MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

TPC8042TE12L,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2900pF @10VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8042TE12L,Q,M

型号： TPC8042TE12L,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP