TOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V
The is a N-channel enhancement-mode Silicon MOSFET suitable for switching regulator applications.
- .
- Low drain-source ON resistance
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- High forward transfer admittance
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- Low leakage current
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- Enhancement-mode
Using continuously under heavy loads may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions are within the absolute maximum ratings.
针脚数 3
漏源极电阻 0.19 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 40 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TK20E60U Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
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