TPC8110TE12L,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TPC8110TE12L,Q,M概述

Trans MOSFET P-CH Si 40V 8A 8Pin SOP T/R

P-Channel 40V 8A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOP 5.5x6.0

得捷:
MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP

贸泽:
MOSFET MOSFET P-Ch 40V 8A Rdson=0.025Ohm

Win Source:
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

TPC8110TE12L,Q,M中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 25 mΩ

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 2180pF @10VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.68 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8110TE12L,Q,M

型号： TPC8110TE12L,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET P-CH Si 40V 8A 8Pin SOP T/R