TPC8111TE12L,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TPC8111TE12L,Q,M概述

MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

P-Channel 30V 11A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOP 5.5x6.0

得捷:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

TPC8111TE12L,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 5710pF @10VVds

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8111TE12L,Q,M

型号： TPC8111TE12L,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B