TPCC8002-HTE12LQM

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TPCC8002-HTE12LQM概述

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

N-Channel 30V 22A Ta 700mW Ta, 30W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON / N-Channel 30 V 22A Ta 700mW Ta, 30W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


TPCC8002-HTE12LQM中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 700mW Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2500pF @10VVds

额定功率Max 30 W

耗散功率Max 700mW Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPCC8002-HTE12LQM
型号: TPCC8002-HTE12LQM
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
替代型号TPCC8002-HTE12LQM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPCC8002-HTE12LQM

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

TPN8R903NL,LQ

东芝

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TPCC8002-HTE12LQM和TPN8R903NL,LQ的区别

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