TPC8115TE12L,Q,M

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TPC8115TE12L,Q,M概述

SOP P-CH 20V 10A

P-Channel 20V 10A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOP 5.5x6.0


得捷:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP


贸泽:
MOSFET MOSFET P-Ch 20V 10A Rdson=0.01Ohm


TPC8115TE12L,Q,M中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 10 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 9130pF @10VVds

下降时间 228 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.68 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8115TE12L,Q,M
型号: TPC8115TE12L,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:SOP P-CH 20V 10A

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