TN0200K-T1-E3

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TN0200K-T1-E3概述

VISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.73A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
TRANS MOSFET N-CH 20V 0.73A 3-PIN TO-236 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.73A 3-Pin TO-236 T/R


TN0200K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 730 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TN0200K-T1-E3
型号: TN0200K-T1-E3
描述:VISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV
替代型号TN0200K-T1-E3
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