TP0202K-T1-E3

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TP0202K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.25 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -385 mA, -385 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: TP0202K-T1-E3
描述:VISHAY  TP0202K-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V

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