TP0202K-T1-GE3

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TP0202K-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -385 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: TP0202K-T1-GE3
描述:P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET

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