TT8M3TR概述
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/2.4A 8Pin TSST T/R
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.5A，2.4A 1W 表面贴装型 8-TSST
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
TT8M3TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20 V
输入电容Ciss 260pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TT8M3TR引脚图与封装图 
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