2个P沟道 12V 3.5A
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 3.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
立创商城:
2个P沟道 12V 3.5A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 8-Pin TSST T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V ±3.5A 8-Pin TSST T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A 8-Pin TSST T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 8-Pin TSST T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2600pF @6VVds
额定功率Max 650 mW
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
封装 TSST-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TT8J11TCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
QS8J11TCR 罗姆半导体 | 功能相似 | TT8J11TCR和QS8J11TCR的区别 |