TSST P-CH 12V 2.5A
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 2.5A 1W 表面贴装型 8-TSST
得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2.5A 8-Pin TSST T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V ±2.5A 8-Pin TSST T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 8-Pin TSST T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2.5A 8-Pin TSST T/R
儒卓力:
**2P-CH -12V +/-2,5A 62mOhm TSST8 **
通道数 2
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 ±12 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2000pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
封装 TSST-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TT8J13TCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
TT8J1TR 罗姆半导体 | 功能相似 | TT8J13TCR和TT8J1TR的区别 |