TT8K11TCR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TT8K11TCR概述

TSST N-CH 30V 3A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 3A 1W 表面贴装型 8-TSST

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V ±3A 8-Pin TSST T/R

TT8K11TCR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 140pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 3 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TT8K11TCR

型号： TT8K11TCR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：TSST N-CH 30V 3A