TK3P50D

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TK3P50D概述

TOSHIBA  TK3P50D  晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 2.4 V

The is a N-channel enhancement-mode Silicon MOSFET suitable for switching voltage regulator applications.

.
Low drain-source ON-resistance
.
1S High forward transfer admittance
.
10µA Maximum low leakage current

Using continuously under heavy loads may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions are within the absolute maximum ratings.

TK3P50D中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3A

输入电容Ciss 280pF @25VVds

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TK3P50D引脚图与封装图
TK3P50D引脚图
在线购买TK3P50D
型号: TK3P50D
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  TK3P50D  晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 2.4 V
替代型号TK3P50D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TK3P50D

Toshiba 东芝

当前型号

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