TT8M2TR

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TT8M2TR概述

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V,20V 2.5A 1.25W 表面贴装型 8-TSST


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8


立创商城:
TT8M2TR


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 2.5 A, 0.065 ohm, TSST, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R


TT8M2TR中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N+P

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30V, 20V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 180pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TT8M2TR
型号: TT8M2TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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